Katalog > Interní harddisky > SAMSUNG 500GB MZ-M5E500BW

SAMSUNG 500GB MZ-M5E500BW

Načítám galerii...
Předchozí
Další
Koupit za 2 990 Kč
Dostupnost: Info v obchodě
od 2 990 Kč
Porovnat 9 obchodů
Popis produktu SSD Samsung 850 EVO SSD disky základní série 850 EVO kombinují jednoduché migrační řešení, obrovský IOPS výkon a rychlost. Poskytují nejlepší možnost upgrade pro Váš PC nebo notebook. Disky Samsung 850 EVO využívají 256-bit šifrování dat a jsou určeny uživatelům, kteří chtějí zvýšit výkon svého počítače. Výhody SSD disků Pevné disky běžné velikosti 2.5" neobsahují žádné pohyb...

Všechny nabídky pro SAMSUNG 500GB MZ-M5E500BW

Popis SAMSUNG 500GB MZ-M5E500BW

SOFTCOM.cz píše:

MZ-M5E500BW
SSD 500GB Samsung 850 EVO mSata

Kapacita: 500 GB
Formát: mSATA
Rozraní: SATA 6Gb/s
Rozměry: 29.85 x 50.80 x 3.85 (mm)
Hmotnost: 8,3g
Paměť: Samsung 32 layer 3D V-NAND
Řadič: Samsung MGX Controller
Cache: Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM
MTBF: 1.5 Mil.
Rychlost čtení a zápisu dat
Sekvenční čtení: Až 540 MB/sec
Sekvenční zápis: Až 520 MB/sec
Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 97,000 IOPS
Náhodné zápis (4KB, QD32): Až 88,000 IOPS
Náhodné čtení (4KB, QD1): Až 10,000 IOPS
Náhodné zápis (4KB, QD1): Až 40,000 IOPS
Speciální funkce
TRIM
S.M.A.R.T
Auto Garbage Collection Algorithm
Šifrování: AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
World Wide Name
Device Sleep Mode Support

Svět Počítačů píše:

Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie? Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby

ONLINESHOP.cz píše:

Technické parametryrn•Kapacita: 500 GBrn•Formát: mSATArn•Rozraní: SATA 6Gb/srn•Rozměry: 29.85 x 50.80 x 3.85 (mm)rn•Hmotnost: 8,3grn•Paměť: Samsung 32 layer 3D V-NANDrn•Řadič: Samsung MGX Controllerrn•Cache: Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAMrn•MTBF: 1.5 Mil.rnrnRychlost čtení a zápisu datrn•Sekvenční čtení: Až 540 MB/secrn•Sekvenční zápis: Až 520 MB/secrn•Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 97,000 IOPSrn•Náhodné zápis (4KB, QD32): Až 88,000 IOPSrn•Náhodné čtení (4KB, QD1): Až 10,000 IOPSrn•Náhodné zápis...

EuroKing píše:

Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie? Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše. Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite pro bezkonkurenční rychlosti čtení / zápisu Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. V porovnání s modelem 840 EVO je model 850 EVO pro uživatele celkově rychlejší o přibližně 13 %*, částečně díky dvojnásobné rychlosti náhodného zápisu**. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 52...

Parametry SAMSUNG 500GB MZ-M5E500BW

Výrobce Samsung

Podobné produkty

Podobné fráze: